一般的な3端子パッケージのパワー半導体にも適用可能に NEDOで実施している「省エネエレクトロニクスの製造基盤強化に向けた技術開発事業」（以下、本事業）において、東京大学生産技術研究所を中心とする研究グループ（以下、本研究グループ）は ...

STR3A42xHD/MDシリーズは、パワーMOSFETと電流モード型PWM制御ICを1パッケージにしたPWM型スイッチング電源用パワーICです。 熱伝導率の高い樹脂を使った高放熱DIP8パッケージを採用しています。従来のDIP8 (6ピン抜き)は片側2端子 (7～8ピン)がドレイン端子でしたが、高放熱DIP8パッケージは、片側4端子 ...

ローム株式会社(本社：京都市)は、高効率が求められるサーバー用電源や太陽光インバータ、電動車の充電ステーションなどに最適なトレンチゲート構造(※1)SiC MOSFET 「SCT3xxx xRシリーズ」6機種(650V／1200V耐圧)を開発しました。 今回新しく開発したシリーズは ...

サンケン電気株式会社(埼玉県新座市北野3-6-3)は、電源IC「STR3A42xHD/MDシリーズ」のうち、「STR3A424HD」および「STR3A426MD」の ...

Infineon Technologiesは、IGBT製品群の拡大に向け、「TO-247」パッケージの派生品「TO-247 4」ケルビンセンスパッケージを発表した。 同パッケージは、4ピン構成の採用によりパワーグランドとシグナルグランドをIGBTエミッター端子直近で分離することで、ケル ...

ビシェイ社、FRED Pt(R) Gen 5 600 V Ultrafast ダイオードをTO-244パッケージで発表 このクラスで最良の伝導損失とスイッチング損失を提供 240A〜600Aデバイス、高速、高温動作を提供、産業アプリケーションの効率性を向上 ビシェイ・インターテクノロジー社（米国 ...

リニアテクノロジーは11月28日、3D構造によって小型パッケージで熱放散を上げて動作温度を下げることができる40A降圧μModuleスイッチング・レギュレータ「LTM4636」の販売を開始した。 同製品は16 x 16mm BGAパッケージの上面にインダクタを積み重ね、露出した ...

4端子パッケージ採用により、電源システムの低消費電力化・小型化に貢献 三菱電機パワー半導体「SiC-MOSFET 1200V-Nシリーズ TO-247-4パッケージ」 サンプル提供開始 三菱電機株式会社は、パワー半導体の新製品として「SiC-MOSFET（※1）1200V-Nシリーズ TO247-4 ...

リンクはコピーされました。 文字サイズ小さくなりました サンケン電気株式会社(埼玉県新座市北野3-6-3)は、電源IC ...

Toshiba Electronics Europe GmbH has launched six new products featuring the DTMOSVI 600V series of N-channel power MOSFET chips, mounted in a 4-pin TO-247-4L(X) package. These advanced TKxxxZ60Z1 ...

SUNNYVALE, Calif.--(BUSINESS WIRE)--Alpha and Omega Semiconductor Limited (AOS) (Nasdaq: AOSL), a designer, developer, and global supplier of a broad range of power semiconductors and power ICs, today ...